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| 产品特性：品质一年 | 是否进口：否 | 产地：欧美 |
| 加工定制：否 | 品牌：NI | 型号：NI CFP-DO-403 |
| 工作电压：标准VV | 输出频率：标准kHz | 系列：NI |
| 物料编码：3258 |
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NI系列CFP-DO-403自动化系统工控备件模块库存在线咨询 建议提前备件
后，PXI机箱通常在背板上只有很少的电路，这样当任何电路需要更换的时候维护都非常简单。工业计算机有两种设计。种是使用主动背板，即计算机主板是背板的一部分。这种情况下如果主板出现问题，整个计算机都要更换。种设计是使用被动背板，上面只有PCI-PCI桥。这种设计中要用到单板计算机（SBC）。SBC插入背板中一个类似PCI接口的接触端。这种设计显然比嵌入式PXI控制器更容易振动和颤震。 PXI规范对冷却具有严格的要求。低限度，外设模块也要冷却到和工业计算机同一等级。PXI必须带有强制冷却装置，产生特定方向的气流，以均匀冷却所有模块。而大多数工业计算机使用的冷却装置由一到两个风扇构成，通常无法均匀冷却主板与外设板卡。均衡的冷却可以延长模块或板卡的使用寿命，从而降低系统寿命内的平均维护成本。后，所有的PXI设备都经过测试，清楚标明工作和存放时的正常温度。因此，用户可以对所开发的系统更加了解，并知道是否需要做额外的测量，以***系统在适当的环境下工作。 PXI平台有专为简化维护的设计。所有的模块和接线端
EX库存丰富，交货快，质量可靠，价格折扣。
以下是我们公司的优势品牌，仅供参考,还有其他品牌没一列出， 只要您有需要查找的都可以发给我，这边会及时回复您。
[美国，英维思Invensys FOXBORO IA系统，Triconex ESD系统]
[美国AB ..1756系列,1785系列, 1746系列,1747系列,1771系列]
[瑞士ABB..机器人DSQC系列,ABB Advant OCS,ABB Procontic PLC CPU】
[法国140莫迪康昆腾系列处理器,内存卡,电源模块等。]
[德国 MOORE,S5,S7,6DD等]
[美国通用电气GE..IC693/IC697系列]
[美国Westinghouse (西屋) : OVATION系统、WDPF系统、WEStation系统备件]
[德国Bosch Rexroth (博世力士乐) : Indramat, I/O模块,PLC控制器,驱动模块等。]
[美国Motorola (摩托罗拉) : MVME 162、MVME 167、MVME1772、MVME177等系列
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Latchup free operation is demonstrated in CMOS by attaining holding voltages in excess of V dd (5V). A thin epitaxial layer over a heavily doped substrate together with butted background contact at transistor sources is shown to be an effective structure to control the parasitic bipolar latchup. Experimental results are presented with and without butted contact and with different epi-thicknesses. In addition to the traditionally quoted latchup holding current, measurements of latchup holding voltage are provided allowing a more clearly defined determination of latchup immunity.Symmetrical/asymmetrical bidirectional S-shaped I-V characteristics with trigger voltages ranging from 10 V to over 40 V and relatively high holding current are obtained for advanced sub-micron silicided CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)/BiCMOS (Bipolar CMOS) technologies by custom implementation of P 1 -N 2 -P 2 -N 1 //N 1 -P 3 -N 3 -P 1 lateral structures with embedded ballast resistance 58, 58 A, 56, 56 A and periphery guard-ring ***lation 88 - 86 . The bidirectional protection devices render a high level of electrostatic discharge (ESD) immunity for advanced CMOS/BiCMOS processes with no latchup problems. Novel design-adapted multifinger 354 /interdigitated 336 layout schemes of the ESD protection cells allow for scaling-up the ESD performance of the protection structure and custom integration, while the I-V characteristics 480 are adjustable to the operating conditions of the integrated circuit (IC). The ESD protection cells are tested using the TLP (Transmission Line Pulse)
